量程300mV-300V數(shù)字源表 

半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V 曲線，來決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相同，除此以外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。分立器件 I-V 特性測(cè)試的主要目的是通過實(shí)驗(yàn)，幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本 I-V 特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微鏡性能都提出了更高的要求。

作為數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度數(shù)字源表，填補(bǔ)國(guó)產(chǎn)空白，集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，最大輸出電壓達(dá)300V，最小測(cè)試電流達(dá)100pA，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中:半導(dǎo)體IC或元器件，功率器件，傳感器，有機(jī)材料與納米材料等特性測(cè)試和分析。