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節能的主要原因有以下幾下方面：

1、逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節能15%左右，節能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V，而傳統可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大大降低。

2、功率因數高，功率因數始終大于0.98，無功損耗小，此部分比可控硅中頻電源節能3%-5%。由于節能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式，整流部分不調可控硅導通角，所以整個工作過程功率因數始終大于0.98，無功率損耗小。  

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恒功率輸出：

可控硅中頻電源采用調壓調功，而節能型IGBT晶體管中頻電源采用調頻調功，它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個熔煉過程中保持恒功率輸出，尤其是生產不銹鋼、銅、鋁等不導磁物質時，更顯示它的優越性，熔化速度快，爐料元素燒損少，降低鑄造成本。高頻加熱爐。

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