低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)

低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)原理：低溫下電子元器件的電參數(shù)會(huì)發(fā)生變化、材料變脆及其材料冷縮產(chǎn)生應(yīng)力等。使電子元器件 處于低溫環(huán)境下一定時(shí)間,考核電子元器件的電參數(shù)是否發(fā)生變化、材料是否變脆、材料冷縮 產(chǎn)生應(yīng)力有多大等，從而確定電子元器件的抗低溫能力。

低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)?zāi)康模簽榱丝己说蜏貙?duì)試樣的影響，確定試樣在低溫條件下存儲(chǔ)的適應(yīng)性。該實(shí)驗(yàn)一般用到高低溫 試驗(yàn)箱。

低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A119、IEC60068-2-1、GJB1864A-2011

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具體檢測(cè)項(xiàng)目有-高溫測(cè)試、低溫試、快速溫變測(cè)試、冷熱沖擊測(cè)試、溫度循環(huán)測(cè)試、濕熱測(cè)試、低氣壓測(cè)試、鹽霧測(cè)試、復(fù)合鹽霧測(cè)試、氙燈老化測(cè)試、紫外線老化測(cè)試、太陽輻射測(cè)試、防水測(cè)試、防塵測(cè)試、外殼防護(hù)等級(jí)測(cè)試、臭氧測(cè)試、霉菌測(cè)試、氣體腐蝕測(cè)試、高壓蒸煮測(cè)試、結(jié)露測(cè)試等。