低溫儲存試驗 低溫存儲壽命試驗 深圳STT 

低溫儲存試驗

低溫儲存試驗原理：低溫下電子元器件的電參數(shù)會發(fā)生變化、材料變脆及其材料冷縮產(chǎn)生應力等。使電子元器件 處于低溫環(huán)境下一定時間,考核電子元器件的電參數(shù)是否發(fā)生變化、材料是否變脆、材料冷縮 產(chǎn)生應力有多大等，從而確定電子元器件的抗低溫能力。

低溫儲存試驗目的：為了考核低溫對試樣的影響，確定試樣在低溫條件下存儲的適應性。該實驗一般用到高低溫 試驗箱。

低溫儲存試驗標準：JESD22-A119、IEC60068-2-1、GJB1864A-2011

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