西門康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
概述：[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
產(chǎn) 品 型 號(hào) 參 數(shù) 說(shuō) 明
SEMiX452GB176HDs 2單元，450A/1700V
SEMiX604GB12Vs 2單元，600A/1200V
SEMiX453GAR(L)12E4s 2單元，450A/1200V
SEMiX404GB12Vs 2單元，400A/1200V
SEMiX302GB12Vs 2單元，300A/1200V
SEMiX302GB12E4s 2單元，300A/1200V
SEMiX202GB12Vs 2單元，200A/1200V
SEMiX151GAL(R)12E4s 1單元，150A/1200V
SEMiX101GD12E4s 6單元，100A/1200V
SEMiX402GB066HDs 2單元，400A/600V
SEMiX202GB066HDs 2單元，200A/600V
SEMiX252GB176HDs 2單元，250A/1700V
SEMiX604GAL(R)12E4s 1單元，600A/1200V
SEMiX453GB12E4s 2單元，450A/1200V
SEMiX404GB12E4s 2單元，400A/1200V
SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
SEMiX151GD12Vs 6單元，150A/1200V
SEMiX151GB12E4s 2單元，100A/1200V
SEMiX603GB066HDs 2單元，100A/1200V
SEMiX302GB066HDs 2單元，300A/600V
SEMiX101GD066HDs 6單元，100A/600V
SEMiX452GB176HDs 2單元，450A/1700V
SEMiX604GB12Vs 2單元，600A/1200V
SEMiX453GAR(L)12E4s 2單元，450A/1200V
SEMiX404GB12Vs 2單元，400A/1200V
SEMiX302GB12Vs 2單元，300A/1200V
SEMiX302GB12E4s 2單元，300A/1200V
SEMiX202GB12Vs 2單元，200A/1200V
SEMiX151GAL(R)12E4s 1單元，150A/1200V
SEMiX101GD12E4s 6單元，100A/1200V
SEMiX402GB066HDs 2單元，400A/600V
SEMiX202GB066HDs 2單元，200A/600V
SEMiX252GB176HDs 2單元，250A/1700V
SEMiX604GAL(R)12E4s 1單元，600A/1200V
SEMiX453GB12E4s 2單元，450A/1200V
SEMiX404GB12E4s 2單元，400A/1200V
SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
SEMiX151GD12Vs 6單元，150A/1200V
SEMiX151GB12E4s 2單元，100A/1200V
SEMiX603GB066HDs 2單元，100A/1200V
SEMiX302GB066HDs 2單元，300A/600V
SEMiX101GD066HDs 6單元，100A/600V
- mc3065m發(fā)布的信息
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- [中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化 飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品 續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流 開關(guān)頻率可達(dá)60kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低...
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