三菱IGBT模塊CM2500DY-24S CM1800DY-34S 燦宏電子科技
概述：[中介]采用CSTBTTM硅片技術的第6代IGBT 寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性 最優(yōu)的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結(jié)溫可達175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環(huán)能力（DTc）內(nèi)部硅片分布均勻，Rth(j-
采用CSTBTTM硅片技術的第6代IGBT 寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性 最優(yōu)的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結(jié)溫可達175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環(huán)能力（DTc）內(nèi)部硅片分布均勻，Rth(j-c)低內(nèi)部封裝電感低，Lint<10nH 交流和直流主端子分離，便于直流母排連接多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接內(nèi)部集成NTC用于測量Tc溫度 P側(cè)和N側(cè)IGBT單元均有輔助集電極端子
產(chǎn)品型號 參數(shù)說明
CM2500DY-24S 2500A/1200V
CM1800DY-34S 1800A/1700V
產(chǎn)品型號 參數(shù)說明
CM2500DY-24S 2500A/1200V
CM1800DY-34S 1800A/1700V
- mc3065m發(fā)布的信息
- 三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
- [中介]采用CSTBTTM硅片技術飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊...
- 三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
- [中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術 LPT結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用額定電流定義比市場上同類產(chǎn)品高一個等級外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內(nèi)置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過調(diào)整底板和...
- 三菱IGBT模塊CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A
- [中介]采用最優(yōu)化CSTBTTM硅片技術有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓撲結(jié)構(gòu)內(nèi)部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強具有競爭力的性價比有條件接受客戶定制...
- 富士IGBT模塊2MBI300U2B-060 2MBI600U2E-060 2MBI200N-060
- [中介]N系列和U2系列（高速，低導通壓降）...
- 富士IGBT模塊2MBI200S-120 2MBI100PC-140 2MBI300P-140
- [中介]1MBI300S-120 1單元，300A/1200V 1MBI400S-120 1單元，400A/1200V 2MBI75P-140 2單元，75A/1400V...
- 富士IGBT模塊2MBI150U4A-120 2MBI150U4H-120 6MBI150U4B-170
- [中介]6MBI100U4B-170 6單元，100A/1700V 6MBI150U4B-170 6單元，150A/1700V...
