電容析去離子系統(tǒng)
概述：
MCDI技術(shù)革新
1、 現(xiàn)有電容吸附法沒(méi)有離子膜，水流直接沖刷碳電極，碳顆粒掉落的情況會(huì)持續(xù)發(fā)生；而MCDI由于膜電極中離子膜的遮擋和包覆，水流不直接沖刷碳
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MCDI技術(shù)革新
1、 現(xiàn)有電容吸附法沒(méi)有離子膜，水流直接沖刷碳電極，碳顆粒掉落的情況會(huì)持續(xù)發(fā)生；而MCDI由于膜電極中離子膜的遮擋和包覆，水流不直接沖刷碳電極，而是從離子膜之間流過(guò)，加上我們特殊的碳電極加工方法，長(zhǎng)期使用造成碳電極沖刷掉落的情況不會(huì)出現(xiàn)。
2、 當(dāng)反接電極時(shí)，因?yàn)殡x子隔膜的作用，使得從電極上脫附的離子，只能回到溶液或水中，無(wú)法吸附到對(duì)面電極上，從而使電極得到充分的清洗，再開(kāi)始下一次吸附，提高了離子去除率和裝置的運(yùn)行效率；傳統(tǒng)的電容吸附去離子技術(shù)由于沒(méi)有離子膜隔離，導(dǎo)致脫附過(guò)程中離子再次吸附到對(duì)面極板上，嚴(yán)重影響脫附效果，導(dǎo)致處理效率降低。
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