SiC晶種籽晶碳化硅長晶晶片襯底半導體專用籽晶 

產品介紹:


       SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的首選半導體材料。然而生長優(yōu)質的SiC單晶非常困難，其中第一要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。


       合能陽光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優(yōu)質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。


標準技術參數：


型號：4H-N/Si  6H-N/Si


等級：工業(yè)級   研究級


 直徑：2寸  4寸 
6寸


 厚度：330 μm±25μm   500μm±25μm  


 晶片方向：Off axis : 4.0° toward<1120> ±0.5° for 4H-N  On axis : <0001>±0.5° for 4H-Si


微管密度： ≤ 5 cm -2


電阻率范圍：0.0015-0.1Ω·cm


主定位邊方向：{10-10}±5.0°


次定位邊方向：Silicon
face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°


邊緣去除：2mm


局部厚度變化/彎曲度/翹曲度：≤ 4μm/ ≤ 10μm / ≤ 25μm / ≤ 35μm


表面粗糙度 ：拋光Ra ≤ 1 nm  清洗 Ra ≤ 0.5 nm


裂紋（強光觀測）：無       


六方空洞（強光燈觀測）：面積 ≤ 0.05%


多型(強光燈觀測)：無


目測包裹物（日光燈觀測）：面積 ≤ 0.05%


劃痕(強光燈觀測)： 無


崩邊：無


表面污染物（強光燈觀測）：無


包裝：真空盒裝                  


 


典型客戶:

美國，歐洲，亞洲及國內SiC晶體生產和襯底企業(yè)。[本信息來自于今日推薦網]