BKT-2H(X)型薄膜材料磁電阻特性測(cè)試儀 

BKT-2H(X)型薄膜材料磁電阻特性測(cè)試儀

BKT-2H(X)型薄膜材料磁電阻特性測(cè)試儀

關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體,磁電阻,薄膜測(cè)量,巨磁

一、儀器簡(jiǎn)介及原理
    用巨磁電阻和各向異性磁電阻磁性薄膜材料制作計(jì)算機(jī)硬盤(pán)讀出磁頭和各種弱磁傳感器，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于信息技術(shù)、工業(yè)控制、航海航天導(dǎo)航等高新技術(shù)領(lǐng)域。該儀器選用高精度電阻測(cè)量專(zhuān)用儀表和數(shù)控掃描電源，外部連線簡(jiǎn)單直觀，可連接計(jì)算機(jī)自動(dòng)采集和顯示數(shù)據(jù)，具有牢固可靠、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，非常適合于大專(zhuān)院校實(shí)驗(yàn)教學(xué)和科研使用.

二、儀器用途
    通過(guò)該儀器可以完成以下測(cè)試工作：
    (1)金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子薄膜(或塊體)電阻率的測(cè)量
    (2)金屬薄膜材料電阻率的測(cè)量(最大厚度0.2毫米);金屬塊體材料電阻率的測(cè)量(最大厚度3毫米)
    (3)磁性合金薄膜的磁電阻測(cè)量
    (4)鐵磁/非磁性/鐵磁三層或多層薄膜的磁電阻測(cè)量
    (5)自旋閥型巨磁電阻薄膜、隧道結(jié)型巨磁電阻薄膜的磁電阻測(cè)量

   (6) 霍爾效應(yīng)傳感器, 各向異性磁電阻傳感器, 巨磁電阻傳感器, 隧道磁電阻傳感器薄膜的磁電阻測(cè)量

三、技術(shù)指標(biāo)

1、測(cè)試方式:探針組件
    2、系統(tǒng)主機(jī):30A 
    3、直流數(shù)字電壓表具有6位半字長(zhǎng)，精度高
    4、自編的數(shù)據(jù)采集軟件，操作界面友好

5、亥姆霍茲線圈:最大磁場(chǎng)強(qiáng)度400Oe,最大可以達(dá)到4000 Oe 無(wú)剩磁。

6、線圈電源:10A

    7、系統(tǒng)主機(jī):30A

8、教學(xué)中AMR、GMR、TMR各類(lèi)樣品的磁電阻特性測(cè)試。

9、輸入信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍為±30 dB；

10、輸出電平靈敏度為30mV / dB；

11、輸出電流為8mA；轉(zhuǎn)換速率為25 V /μs

12、相位測(cè)量范圍為0~180°