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場效應(yīng)管：MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。

 

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)，在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來進行工作的。當柵G電壓VG增大時，p型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在n+源區(qū)S和n+漏區(qū)D之間形成導(dǎo)電溝道。

 

當VDS≠0時，源漏電極之間有較大的電流IDS流過。使半導(dǎo)體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓VT。當VGS>VT并取不同數(shù)值時，反型層的導(dǎo)電能力將改變，在相同的VDS下也將產(chǎn)生不同的IDS,實現(xiàn)柵源電壓VGS對源漏電流IDS的控制。

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